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各类靶材

金属靶材

铜靶

铜(Cu)靶材

纯度:99.97%~99.9999%

制备方法:溶解法

液晶显示屏

触摸面板

半导体电极

铬靶

铬(Cr)靶材

纯度:99.5%~99.98%

制造方法:热等静压法,密度≥99%

汽车后视镜、半导体线束、显示器、硬盘、电子元件、装饰涂层、敏感材料

铌靶

铌(Nb)靶材

纯度:99.9%~99.999%

制造方法:真空熔炼法

薄膜形成

超导材料

耐热耐腐蚀应用

锆靶

锆(Zr)靶材

纯度:99.5%~99.99%

半导体:高介电常数绝缘薄膜、铁电存储器

光学透镜、镜面镀膜

表面涂层、耐腐蚀性、耐热性、核能

钛靶

钛(Ti)靶材

纯度:99.5%~99.999%

制备方法:溶解法

半导体电极

集成电路

液晶显示器

钽靶

钽(Ta)靶材

纯度:99.9%~99.999%

制造方法:真空熔炼法

电容器制造

薄膜成型(光学、航空航天)

高温技术

铁靶

铁(Fe)靶材

纯度:99.9%~99.999%

制造方法:真空熔炼法

薄膜形成

超导材料

耐热耐腐蚀应用

铪靶

铪(Hf)靶材

纯度:99.5%~99.9%

半导体:用于降低漏电流的高介电常数栅极介质

高带宽存储器、航空航天(超音速飞机)

光学涂层、敏感材料

镍靶

镍(Ni)靶材

纯度:99.9%~99.99%

制备方法:溶解法

半导体电极、集成电路、液晶显示器、触摸面板

锡靶

锡(Sn)靶材

纯度:99.9%~99.995%

制造方法:真空熔炼法

半导体、显示器、太阳能电池板、用于电子设备的薄膜形成以及建筑玻璃

钨靶

钨(W)靶

纯度:99.9% - 99.999%

制造方法:烧结+轧制

半导体电极

集成电路

高功率电子器件中的散热层

合金靶材

镍铬靶

镍铬合金 (NiCr)

靶材

纯度>99.5%~99.9%

制造方法:真空熔炼法

薄膜成型、微电子制造

建筑玻璃用低辐射镀膜

液晶面板、存储介质、半导体和太阳能电池

铝钕靶

铝钕合金(Al-Nd)

靶材

纯度 > 99.95%

制造方法:真空熔炼

尺寸:809.5 x 879.5 x 16毫米(单件出售)

平板显示器 (FPD)

磁记录介质、磁传感器

钨钛靶

钨钛 (W-Ti)
靶材

纯度>99.95%

制造方法:粉末冶金法

微芯片、薄膜形成、太阳能电池

金属线材用扩散抑制剂和粘合剂

镍钒靶

镍钒 (NiV) 靶材

靶材

纯度>99.5%~99.9%

制造方法:真空熔炼法

集成电路(IC)制造

半导体和微电子产业

高质量薄膜沉积

铝硅靶材

铝硅(Al-Si)靶材

纯度 >99.999%

制造方法:烧结

平板显示器(FPD)

磁性记录介质

磁传感器

c18200背板

C18200(CuCr)背板

纯度>99.97%

制造方法:真空熔炼法

用作背衬板

硬度≥1/2H

镍铜靶

镍铜 (NiCu)

靶材

纯度>99.9%

制造方法:真空熔炼法

半导体集成电路(超大规模集成电路)

平板显示器

光盘、表面涂层

铝钛靶

铝钛(Al-Ti)靶材

纯度>99.999%

制造方法:熔炼法

切削刀具涂层、阻隔膜形成

半导体器件(晶体管和集成电路)

显示和装饰涂层

c18150背板

C18150 (CuCr1Zr) 背板

纯度>98%

制造方法:真空熔炼法

用作背衬板

硬度≥1/2H

氧化物靶材

氧化钛靶材

二氧化钛(TiO₂)靶材

纯度 >99.9% 导电性

密度 ≥90%

真空烧结,高压法

高折射率透镜、光学滤波器、半导体

硬盘驱动器等记录介质

用于平板显示器的薄膜制备

光催化剂(分解大气中的氮氧化物,具有抗菌性能)

nickel-oxide-target

酸化ニッケル(NiO)ターゲット

純度>99.99%
密度≧85%
焼結法、HP法 

抵抗変化型メモリ(RRAM)
透明導電性薄膜(TCO)
ガスセンサー
スピントロニクス

氧化锡靶材

氧化锡(SnO)靶材

纯度 > 99.99%

密度 ≥ 85%

烧结方法,高压法

屏幕制造的关键材料

用于触摸屏操作的透明电极

防静电膜、电磁波屏蔽膜

透明加热器、气体传感器

锑化铟靶材

锑化铟(IAO)靶材

纯度 > 99.99%

密度 ≥ 85%

烧结方法

高压烧结法

防静电涂料广泛应用于油漆中,可显著减少静电积聚,保护设备和人员的安全。

钒氧化物靶材

氧化钒(V₂O₅)靶材

纯度 > 99.9% *有毒

密度 ≥ 85%

真空烧结,高压法

用于高清显示器和光学器件的薄膜沉积

光学涂层和传感器技术

用于有机酸生产的催化剂

提高太阳能电池的性能和效率

石英环靶

石英(SiO₂)环

纯度>99.995%

密度(2.6g/cm³)

烧结方法

半导体制造工艺

光学设备

化学实验室设备

医疗设备

导电铌氧化物靶材

氧化铌(Nb₂O₅)靶材

纯度>99.9% *导电性

密度≥99%

热等静压法

光学产品的微型化和高性能

多层陶瓷电容器 (MLCC)

液晶面板、硬盘

半导体薄膜形成、太阳能电池

ITO溅射靶材

ITO (90% In2O₃ 10% SnO2) 靶材

纯度>99.99%

密度≥99.7%

粉末冶金法

90:10wt%;95:5wt%;99:1wt%;85:15wt%

它在屏幕和太阳能电池的透明电极中发挥着重要作用,并被用作建筑和汽车窗户中的透明加热元件材料,以防止冷凝和积雪。

氧化铝靶材

氧化铝(Al₂O₃)靶材

纯度>99.9%

密度≥90%

粉末冶金法

芯片制造中的绝缘薄膜、高性能电子元件

传感器、太阳能电池板、显示器等

光学器件、建筑玻璃的表面改性

导电薄膜的形成、太阳能电池

氧化铟靶材

氧化铟(In₂O₃)靶材

纯度 > 99.99% *可能残留烧结痕迹

密度 ≥ 90%

烧结法,高压法

LCD、OLED、等离子显示器等

触摸面板中的电压施加电极

太阳能电池中的透明电极

防雾挡风玻璃和商店橱窗

铌氧化物靶材电绝缘

氧化铌(Nb₂O₅)靶材

纯度>99.9% *不导电

密度≥90%

热等静压法

光学产品的微型化和高性能

多层陶瓷电容器 (MLCC)

液晶面板、硬盘

半导体薄膜形成、太阳能电池

硅靶材

单晶硅靶

单晶硅(Si)靶

纯度>99.99999%

制造方法:SZ法

集成电路 (IC)、大规模集成电路 (LSI)

光学器件所需的薄膜形成技术

传感器、太阳能电池、变压器

单晶硅平面靶

单晶硅(Si)平面靶

纯度>99.99999%

密度 (2.33/cm³)

制造方法:SZ法

集成电路 (IC)、大规模集成电路 (LSI)

光学器件所需的薄膜形成技术

传感器、太阳能电池、变压器

多晶硅靶

多晶硅(Si)靶材

纯度 >99.999%

制造方法:熔融烧结

LCD制造设备中的CVD设备、退火炉、扩散炉和薄膜沉积

薄膜硅太阳能电池和太阳能电池板

齿轮、传感器和微静电马达

多晶硅环形靶

多晶硅(Si)环形靶

纯度 >99.999%

密度 (2.33/cm³)

制造方法:熔融烧结

化学气相沉积设备、退火炉、扩散炉、液晶制造设备

薄膜硅太阳能电池、太阳能电池板

微结构,例如齿轮、传感器和微静电马达

​旋转管靶材

铬旋转靶

铬 (Cr)

旋转靶

钼旋转靶

钼 (Mo)

旋转靶

氧化铌旋转靶

氧化铌 (Nb₂O₅)

旋转靶

铝硅旋转靶

铝硅 (AlSi)
旋转靶

钛旋转靶

钛(Ti)

旋转靶

铜旋转靶

铜 (Cu)

旋转靶

铝制旋转靶

铝(Al)

旋转靶

硅旋转靶

硅 (Si)

旋转靶

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