单晶硅（Si）平面靶

纯度>99.99999%

密度 (2.33/cm³)

制造方法：SZ法

它可用作集成电路 (IC) 和大规模集成电路 (LSI) 制造工艺中的材料，也可用作溅射等技术制备光学器件所需薄膜的目标材料，以及传感器、太阳能电池和变压器等各种电子设备的组件。此外，它还可用作液晶制造设备等制造设备的部件。