多晶硅（Si）环形靶

纯度 >99.999%

密度 (2.33/cm³)

制造方法：熔融烧结

它可用作化学气相沉积（CVD）设备、退火炉和扩散炉等设备的组件。它适用于对纯度和热性能要求较高的应用，并可用作溅射沉积工艺的材料、液晶显示器（LCD）制造设备的组件以及太阳能电池板（包括薄膜硅太阳能电池）的制造材料。由于其制造成本低于单晶硅，因此适合大规模生产，也可用于齿轮、传感器和微静电马达等微结构的研究和原型制作。