多晶硅（Si）靶材

纯度 >99.999%

制造方法：熔融烧结

它可用作化学气相沉积 (CVD) 设备、退火炉和扩散炉等设备的组件。

它适用于对纯度和热性能要求较高的应用，可用作溅射薄膜形成工艺的材料，以及液晶制造设备的组件。

它还用于制造太阳能电池板，例如薄膜硅太阳能电池。

由于其生产成本低于单晶，因此适用于大规模生产，也用于齿轮、传感器和微静电马达等微结构的研究和原型制作。