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铪(Hf)靶材

纯度:99.5%~99.9%


Hf(ハフニウム)ターゲットは高純度・高融点・高い誘電率など要求され​

集積回路やトランジスタなどにおける高誘電体ゲート絶縁膜(例:HfO₂膜)の形成。​

デバイスの高性能化・微細化に不可欠​

耐熱コーティング​

レンズやミラー、レーザー、通信機器などに用いられる光学部品の薄膜コーティング形成
(弊社使用実績あり)​

高精度センサーや環境計測機器、医療用センサー薄膜形成​

薄膜トランジスタ(TFT)やタッチパネル製造におけるスパッタリング工程​

高性能触媒の製造や化学反応プロセスの最適化​

铪靶

Sputtercore有限公司

〒532‐0011

大阪府大阪市淀川区西中岛6-3-32

新大阪大厦2号楼707室

电话:06-6732-9818

传真:06-6732-9819

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