各種ターゲット

金属ターゲット

銅（Cu）ターゲット

純度：99.97％~99.9999％
製造方法：溶解法

液晶ディスプレイ
タッチパネル　　
半導体電極

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クロム（Cr）ターゲット

純度：99.5％~99.98％
製造方法：HIP法、密度≧99％

自動車用ミラー、半導体配線
ディスプレイ、ハードディスク、電子部品
装飾コーティング、敏感物資

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ニオブ（Nb）ターゲット

純度：99.9％~99.999％
製造方法：真空溶錬法

薄膜形成
超伝導材料
耐熱・耐食性用途

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ジルコニウム（Zr）ターゲット

純度：99.5％~99.99％

半導体：High-K絶縁膜、強誘電体メモリ
光学レンズ、ミラーコーティング
表面コーティング、腐食性、耐熱性、核

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チタン（Ti）ターゲット

純度：99.5％~99.999％
製造方法：溶解法

半導体電極
集積回路
液晶ディスプレイ

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タンタル（Ta）ターゲット

純度：99.9％~99.999％
製造方法：真空溶錬法

コンデンサー製造
薄膜形成（光学分野、航空宇宙）
高温技術

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鉄（Fe）ターゲット

純度：99.9％~99.999％
製造方法：真空溶錬法

薄膜形成
超伝導材料
耐熱・耐食性用途

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ハフニウム（Hf）ターゲット

純度：99.5％~99.995％

半導体：高Kゲート絶縁膜リ-ク電流の低減
高帯域幅メモリ、航空宇宙（超音速機）
光学コーティング、敏感物資

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ニッケル（Ni）ターゲット

純度：99.9％~99.99％
製造方法：溶解法

半導体電極、集積回路
液晶ディスプレイ
タッチパネル

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錫（Sn）ターゲット

純度：99.9％~99.995％
製造方法：真空溶錬法

半導体、ディスプレイ
ソーラーパネル
電子デバイスや建築用ガラスの薄膜形成

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タングステン（W）ターゲット

純度：99.9％~99.999％
製造方法：焼結法+圧延

半導体電極
集積回路
高出力電子デバイスの放熱層

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合金ターゲット

ニッケルクロム（NiCr）
ターゲット

純度>99.5％~99.9％
製造方法：真空溶錬法

薄膜形成、マイクロエレクトロニクス製造
建築ガラスのLow-E膜
液晶パネル・記録メディア、半導体・太陽電池

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アルミネオジウム（Al-Nd）
ターゲット

純度>99.95%
製造方法：真空溶錬法
サイズ：809.5*879.5*16mmt　1枚物可能

フラットパネルディスプレイ (FPD)
磁気記録媒体、磁気センサー

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タングステンチタン（W-Ti）
ターゲット

純度>99.95%
製造方法：粉末冶金法

マイクロチップ、薄膜形成、太陽電池
金属配線用の拡散防止剤や接着剤

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ニッケルバナジウム（NiV）
ターゲット

純度>99.5％~99.9％
製造方法：真空溶錬法

集積回路（IC）の製造
半導体・マイクロエレクトロニクス産業
高品質な薄膜を成膜

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アルミシリコン（Al-Si）　　ターゲット

純度>99.999%
製造方法：焼結法

フラットパネルディスプレイ (FPD)
磁気記録媒体
磁気センサー

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C18200（CuCr）　　　　　　　バッキングプレート

純度>99.97%
製造方法：真空溶錬法

バッキングプレートとして使われる
硬度≧1/2H

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ニッケルカッパー（NiCu）
ターゲット

純度>99.9%
製造方法：真空溶錬法

半導体集積回路（VLSI）
フラットパネルディスプレイ
光ディスク、表面コーティング

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アルミチタン（Al-Ti）　　　ターゲット

純度>99.999%
製造方法：溶錬法

切削工具用コーティング、バリア膜形成
半導体デバイスのトランジスタや集積回路
ディスプレイ・装飾コーティング

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C18150（CuCr1Zr）　　　　　　　バッキングプレート

純度>98%
製造方法：真空溶錬法

バッキングプレートとして使われる
硬度≧1/2H

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酸化物ターゲット

酸化チタン（TiO₂）ターゲット

純度>99.9％導電性
密度≧90%
真空焼結、HP法

高屈折率レンズ、光学フィルター、半導体
HDDなどの記録メディア
フラットパネルディスプレイなどの薄膜形成
光触媒（大気中の窒素酸化物の分解、抗菌）

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酸化ニッケル（NiO）ターゲット

純度>99.99％
密度≧85%
焼結法、HP法　

抵抗変化型メモリ（RRAM）
透明導電性薄膜（TCO）
ガスセンサー
スピントロニクス

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酸化スズ（SnO）ターゲット

純度>99.99％
密度≧85%
焼結法、HP法

画面を構成する重要な材料
透明な電極として画面のタッチ操作を可能に
帯電防止膜、電磁波遮蔽膜
透明ヒーター、ガスセンサー

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インジウムアンチモン（IAO）　　　ターゲット

純度>99.99％
密度≧85%　
焼結法
HP法　

静電気防止コーティング
塗料にも広く使用
静電気蓄積を著しく減少させる
設備と人の安全を保護する

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酸化バナジウム（V₂O₅）ターゲット

純度>99.9％　　　　　　※毒性あり
密度≧85%
真空焼結、HP法

高精細ディスプレイ、光学装置用の薄膜成膜
光学コーティング、センサー技術
有機酸製造用触媒
太陽電池の性能と効率を向上

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石英（SiO₂）リング

純度>99.995％
密度（2.6g/cm³）
焼結法

半導体製造工程　光学機器　化学実験装置　医療機器　エッチング、拡散、イオン注入時のマスク層
絶縁媒体（アイソレーション、絶縁ゲート、多層配線絶縁、容量媒体等）表面保護及び不動態化

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niobium-oxide-target-electrically-conductive

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット

純度>99.9％　　　　　　※導電性
密度≧99%
HIP法

光学製品の小型化や高性能化
積層セラミックコンデンサ（MLCC）
液晶パネル、ハードディスク
半導体の薄膜形成、太陽電池

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ITO（90%In₂O₃10%SnO₂）　　　　　ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法
90:10wt％；95:5wt％；99:1wt%；85:15wt％

画面の透明電極、太陽電池で重要な役割
結露や積雪を防ぐための透明発熱体素材として建築物や自動車の窓などに利用

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酸化アルミ（AI₂O₃）ターゲット

純度>99.9％
密度≧90%
粉末冶金法

チップ製造における絶縁膜、高性能電子部品
センサー、ソーラーパネル、ディスプレイなど
光学機器の表面改質、建築ガラス
伝導性を持つ膜の形成、太陽電池セル

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酸化インジウム（In₂O₃）ターゲット

純度>99.99％　　　　※焼成痕跡が残りやすい
密度≧90%
焼結法、HP法

液晶、有機EL、プラズマディスプレイなど
タッチパネルでの電圧印加用電極　太陽電池の透明電極
フロントガラスやショーウィンドウの曇り止め

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niobium-oxide-target-electrically-insulating

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット

純度>99.9％　　　　　　※非導電性
密度≧90%
HIP法

光学製品の小型化や高性能化
積層セラミックコンデンサ（MLCC）
液晶パネル、ハードディスク
半導体の薄膜形成、太陽電池

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シリコンターゲット

単結晶シリコン（Si）ターゲット

純度>99.99999％
製造方法：SZ法

集積回路（IC）、大規模集積回路（LSI）
光学デバイスに必要な薄膜形成
センサー、太陽電池、トランス

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単結晶シリコン（Si）プレーナターゲット

純度>99.99999％
密度（2.33/cm³）
製造方法：SZ法

集積回路（IC）、大規模集積回路（LSI）
光学デバイスに必要な薄膜形成
センサー、太陽電池、トランス

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多結晶シリコン（Si）ターゲット

純度>99.999％
製造方法：溶解法と焼結法

CVD装置、アニール炉、拡散炉、液晶製造装置の成膜
薄膜シリコン太陽電池、太陽光パネル
ギヤ、センサー、マイクロ静電モータ

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多結晶シリコン（Si）リングターゲット

純度>99.999％
密度（2.33/cm³）
製造方法：溶解法と焼結法

CVD装置、アニール炉、拡散炉、液晶製造装置
薄膜シリコン太陽電池、太陽光パネル
ギヤ、センサー、マイクロ静電モータなどのマイクロ構造体

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ロータリーターゲット

クロム（Cr）
ロータリーターゲット

モリブデン（Mo）
ロータリーターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）
ロータリーターゲット

アルミニウムシリコン（AlSi）
ロータリーターゲット

チタン（Ti）
ロータリーターゲット

銅（Cu）
ロータリーターゲット

アルミニウム（Al）
ロータリーターゲット

各種ターゲット

​金属ターゲット

銅（Cu）ターゲット

クロム（Cr）ターゲット

ニオブ（Nb）ターゲット

ジルコニウム（Zr）ターゲット

チタン（Ti）ターゲット

タンタル（Ta）ターゲット

鉄（Fe）ターゲット

ハフニウム（Hf）ターゲット

ニッケル（Ni）ターゲット

錫（Sn）ターゲット

タングステン（W）ターゲット

​合金ターゲット

ニッケルクロム（NiCr）ターゲット

アルミネオジウム（Al-Nd）ターゲット

タングステンチタン（W-Ti）ターゲット

ニッケルバナジウム（NiV）ターゲット

アルミシリコン（Al-Si） ターゲット

C18200（CuCr） バッキングプレート

ニッケルカッパー（NiCu）ターゲット

アルミチタン（Al-Ti） ターゲット

C18150（CuCr1Zr） バッキングプレート

​酸化物ターゲット

酸化チタン（TiO₂）ターゲット

酸化ニッケル（NiO）ターゲット

酸化スズ（SnO）ターゲット

インジウムアンチモン（IAO） ターゲット

酸化バナジウム（V₂O₅）ターゲット

石英（SiO₂）リング

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット

ITO（90%In₂O₃10%SnO₂） ターゲット

酸化アルミ（AI₂O₃）ターゲット

酸化インジウム（In₂O₃）ターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット

​シリコンターゲット

単結晶シリコン（Si）ターゲット

単結晶シリコン（Si）プレーナターゲット

多結晶シリコン（Si）ターゲット

多結晶シリコン（Si）リングターゲット

​ロータリーターゲット

クロム（Cr）ロータリーターゲット

モリブデン（Mo）ロータリーターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ロータリーターゲット

アルミニウムシリコン（AlSi）ロータリーターゲット

チタン（Ti）ロータリーターゲット

銅（Cu）ロータリーターゲット

アルミニウム（Al）ロータリーターゲット

シリコン（Si）ロータリーターゲット

株式会社スパッタコア

金属ターゲット

合金ターゲット

ニッケルクロム（NiCr）
ターゲット

アルミネオジウム（Al-Nd）
ターゲット

タングステンチタン（W-Ti）
ターゲット

ニッケルバナジウム（NiV）
ターゲット

アルミシリコン（Al-Si）　　ターゲット

C18200（CuCr）　　　　　　　バッキングプレート

ニッケルカッパー（NiCu）
ターゲット

アルミチタン（Al-Ti）　　　ターゲット

C18150（CuCr1Zr）　　　　　　　バッキングプレート

酸化物ターゲット

インジウムアンチモン（IAO）　　　ターゲット

ITO（90%In₂O₃10%SnO₂）　　　　　ターゲット

シリコンターゲット

ロータリーターゲット

クロム（Cr）
ロータリーターゲット

モリブデン（Mo）
ロータリーターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）
ロータリーターゲット

アルミニウムシリコン（AlSi）
ロータリーターゲット

チタン（Ti）
ロータリーターゲット

銅（Cu）
ロータリーターゲット

アルミニウム（Al）
ロータリーターゲット

シリコン（Si）
ロータリーターゲット