各種ターゲット

金属ターゲット

ハフニウム（Hf）ターゲット

純度：99.5％~99.995％

半導体：高Kゲート絶縁膜リ-ク電流の低減
高帯域幅メモリ、航空宇宙（超音速機）
光学コーティング、敏感物資

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鉄（Fe）ターゲット

純度：99.9％~99.999％
製造方法：真空溶錬法

薄膜形成
超伝導材料
耐熱・耐食性用途

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タンタル（Ta）ターゲット

純度：99.9％~99.999％
製造方法：真空溶錬法

コンデンサー製造
薄膜形成（光学分野、航空宇宙）
高温技術

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チタン（Ti）ターゲット

純度：99.5％~99.999％
製造方法：溶解法

半導体電極
集積回路
液晶ディスプレイ

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ジルコニウム（Zr）ターゲット

純度：99.5％~99.99％

半導体：High-K絶縁膜、強誘電体メモリ
光学レンズ、ミラーコーティング
表面コーティング、腐食性、耐熱性、核

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ニオブ（Nb）ターゲット

純度：99.9％~99.999％
製造方法：真空溶錬法

薄膜形成
超伝導材料
耐熱・耐食性用途

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クロム（Cr）ターゲット

純度：99.5％~99.98％
製造方法：HIP法、密度≧99％

自動車用ミラー、半導体配線
ディスプレイ、ハードディスク、電子部品
装飾コーティング、敏感物資

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銅（Cu）ターゲット

純度：99.97％~99.9999％
製造方法：溶解法

液晶ディスプレイ
タッチパネル　　
半導体電極

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タングステン（W）ターゲット

純度：99.9％~99.999％

半導体電極
集積回路
高出力電子デバイスの放熱層

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錫（Sn）ターゲット

純度：99.9％~99.995％
製造方法：真空溶錬法

半導体、ディスプレイ
ソーラーパネル
電子デバイスや建築用ガラスの薄膜形成

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ニッケル（Ni）ターゲット

純度：99.9％~99.99％
製造方法：溶解法

半導体電極、集積回路
液晶ディスプレイ
タッチパネル

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蒸着材（Cu、Al、NiCr、MgF3）

純度：99.9~99.9999％
製造方法：溶錬法.焼結法

光学フィルム
ガラスコーティング
金型工具硬化

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合金ターゲット

ニッケルクロム合金（NiCr）
ターゲット

純度>99.9％
製造方法：真空溶錬法

薄膜形成、マイクロエレクトロニクス製造、Low-E膜
液晶パネル・記録メディア、半導体

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アルミネオジウム合金(AlNd)
ターゲット

純度>99.95%
製造方法：真空溶錬法
サイズ：809.5*879.5*16mmt

フラットパネルディスプレイ (FPD)
磁気記録媒体、磁気センサー

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タングステンチタン合金(WTi)
ターゲット

純度>99.95%
製造方法：粉末冶金法

マイクロチップ、薄膜形成、太陽電池
金属配線用の拡散防止剤や接着剤

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ニッケルバナジウム合金（NiV）
ターゲット

純度>99.5％~99.9％
製造方法：真空溶錬法

集積回路（IC）の製造
半導体・マイクロエレクトロニクス産業
高品質な薄膜を成膜

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アルミシリコン合金（AlSi）　　ターゲット

純度>99.999%
製造方法：焼結法

フラットパネルディスプレイ (FPD)
磁気記録媒体
磁気センサー

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C18200銅合金（CuCr）　　　　　　　バッキングプレート

純度>99.97%
製造方法：真空溶錬法

バッキングプレートとして使われる
硬度≧1/2H

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ニッケルカッパー合金（NiCu）
ターゲット

純度>99.9%
製造方法：真空溶錬法

半導体集積回路（VLSI）
フラットパネルディスプレイ
光ディスク、表面コーティング

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アルミチタン合金（AlTi）　　　ターゲット

純度>99.999%
製造方法：溶錬法

金型用コーティング、バリア膜形成
コベルコ設備用タイプ
装飾コーティング

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C18150型番銅合金（CuCr1Zr）　　　　　　　バッキングプレート

純度>98%
製造方法：真空溶錬法

バッキングプレートとして使われる
硬度≧1/2H

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酸化物ターゲット

ITO（90%In₂O₃10%SnO₂）　　　　　ターゲット

純度>99.99% 密度≧99.7%
粉末冶金法
90:10wt％；95:5wt％；99:1wt%；85:15wt％

透明電極、太陽電池、透明発熱体素材として建築物や自動車の窓などに利用

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niobium-oxide-target-electrically-conductive

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

光学製品の小型化や高性能化
積層セラミックコンデンサ（MLCC）
液晶パネル、ハードディスク
半導体の薄膜形成、太陽電池

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石英（SiO₂）リング

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

光学機器　化学実験装置　医療機器　エッチング、拡散、イオン注入時のマスク層
絶縁媒体（アイソレーション、絶縁ゲート、多層配線絶縁、容量媒体等）表面保護

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酸化バナジウム（V₂O₅）ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

高精細ディスプレイ、光学装置用の薄膜成膜
光学コーティング、センサー技術
有機酸製造用触媒
太陽電池の性能と効率を向上

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インジウムアンチモン（IAO）　　　ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

静電気防止コーティング
塗料にも広く使用
静電気蓄積を著しく減少させる
設備と人の安全を保護する

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酸化スズ（SnO）ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

画面を構成する重要な材料
透明な電極として画面のタッチ操作を可能に
帯電防止膜、電磁波遮蔽膜
透明ヒーター、ガスセンサー

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酸化ニッケル（NiO）ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

抵抗変化型メモリ（RRAM）
透明導電性薄膜（TCO）
ガスセンサー
スピントロニクス

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酸化チタン（TiO₂）ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法、HP法

高屈折率レンズ、光学フィルター、半導体
HDDなどの記録メディア
フラットパネルディスプレイなどの薄膜形成
光触媒（大気中の窒素酸化物の分解、抗菌）

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niobium-oxide-target-electrically-insulating

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット(白)

純度>99.99%
密度≧99.7%
HP法

光学製品の小型化や高性能化
積層セラミックコンデンサ（MLCC）
液晶パネル、ハードディスク
半導体の薄膜形成、太陽電池

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酸化インジウム（In₂O₃）ターゲット

純度>99.99% 密度≧99.7%
粉末冶金法
焼結痕跡が残りやすい

液晶、有機EL、プラズマディスプレイなど
タッチパネルでの電圧印加用電極　太陽電池の透明電極
フロントガラスやショーウィンドウの曇り止め

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酸化アルミ（AI₂O₃）ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

チップ製造における絶縁膜、高性能電子部品
センサー、ソーラーパネル、ディスプレイなど
光学機器の表面改質、建築ガラス
伝導性を持つ膜の形成、太陽電池セル

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SiO2蒸着材

純度>99.99%
密度≧99.7%
焼結法

高屈折率レンズ
光学フィルター
非導電層

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シリコンターゲット

単結晶シリコン（Si）ターゲット

純度>99.99999％
製造方法：SZ法

集積回路（IC）、大規模集積回路（LSI）
光学デバイスに必要な薄膜形成
センサー、太陽電池、トランス

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単結晶シリコン（Si）プレーナターゲット

純度>99.99999％
密度（2.33/cm³）
製造方法：SZ法

集積回路（IC）、大規模集積回路（LSI）
光学デバイスに必要な薄膜形成
センサー、太陽電池、トランス

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多結晶シリコン（Si）ターゲット

純度>99.999％
製造方法：溶解法と焼結法

CVD装置、アニール炉、拡散炉、液晶製造装置の成膜
薄膜シリコン太陽電池、太陽光パネル
ギヤ、センサー、マイクロ静電モータ

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多結晶シリコン（Si）リングターゲット

純度>99.999％
密度（2.33/cm³）
製造方法：溶解法と焼結法

CVD装置、アニール炉、拡散炉、液晶製造装置
薄膜シリコン太陽電池、太陽光パネル
ギヤ、センサー、マイクロ静電モータなどのマイクロ構造体

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ロータリーターゲット

クロム（Cr）
ロータリーターゲット

モリブデン（Mo）
ロータリーターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）
ロータリーターゲット

アルミニウムシリコン（AlSi）
ロータリーターゲット

チタン（Ti）
ロータリーターゲット

銅（Cu）
ロータリーターゲット

アルミニウム（Al）
ロータリーターゲット

各種ターゲット

​金属ターゲット

ハフニウム（Hf）ターゲット

鉄（Fe）ターゲット

タンタル（Ta）ターゲット

チタン（Ti）ターゲット

ジルコニウム（Zr）ターゲット

ニオブ（Nb）ターゲット

クロム（Cr）ターゲット

銅（Cu）ターゲット

タングステン（W）ターゲット

錫（Sn）ターゲット

ニッケル（Ni）ターゲット

蒸着材（Cu、Al、NiCr、MgF3）

​合金ターゲット

ニッケルクロム合金（NiCr）ターゲット

アルミネオジウム合金(AlNd)ターゲット

タングステンチタン合金(WTi)ターゲット

ニッケルバナジウム合金（NiV）ターゲット

アルミシリコン合金（AlSi） ターゲット

C18200銅合金（CuCr） バッキングプレート

ニッケルカッパー合金（NiCu）ターゲット

アルミチタン合金（AlTi） ターゲット

C18150型番銅合金（CuCr1Zr） バッキングプレート

​酸化物ターゲット

ITO（90%In₂O₃10%SnO₂） ターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット

石英（SiO₂）リング

酸化バナジウム（V₂O₅）ターゲット

インジウムアンチモン（IAO） ターゲット

酸化スズ（SnO）ターゲット

酸化ニッケル（NiO）ターゲット

酸化チタン（TiO₂）ターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ターゲット(白)

酸化インジウム（In₂O₃）ターゲット

酸化アルミ（AI₂O₃）ターゲット

SiO2蒸着材

​シリコンターゲット

単結晶シリコン（Si）ターゲット

単結晶シリコン（Si）プレーナターゲット

多結晶シリコン（Si）ターゲット

多結晶シリコン（Si）リングターゲット

​ロータリーターゲット

クロム（Cr）ロータリーターゲット

モリブデン（Mo）ロータリーターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）ロータリーターゲット

アルミニウムシリコン（AlSi）ロータリーターゲット

チタン（Ti）ロータリーターゲット

銅（Cu）ロータリーターゲット

アルミニウム（Al）ロータリーターゲット

シリコン（Si）ロータリーターゲット

株式会社スパッタコア

金属ターゲット

合金ターゲット

ニッケルクロム合金（NiCr）
ターゲット

アルミネオジウム合金(AlNd)
ターゲット

タングステンチタン合金(WTi)
ターゲット

ニッケルバナジウム合金（NiV）
ターゲット

アルミシリコン合金（AlSi）　　ターゲット

C18200銅合金（CuCr）　　　　　　　バッキングプレート

ニッケルカッパー合金（NiCu）
ターゲット

アルミチタン合金（AlTi）　　　ターゲット

C18150型番銅合金（CuCr1Zr）　　　　　　　バッキングプレート

酸化物ターゲット

ITO（90%In₂O₃10%SnO₂）　　　　　ターゲット

インジウムアンチモン（IAO）　　　ターゲット

シリコンターゲット

ロータリーターゲット

クロム（Cr）
ロータリーターゲット

モリブデン（Mo）
ロータリーターゲット

酸化ニオブ（Nb₂O₅）
ロータリーターゲット

アルミニウムシリコン（AlSi）
ロータリーターゲット

チタン（Ti）
ロータリーターゲット

銅（Cu）
ロータリーターゲット

アルミニウム（Al）
ロータリーターゲット

シリコン（Si）
ロータリーターゲット