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各種ターゲット

​金属ターゲット

copper-target

銅(Cu)ターゲット

純度:99.97%~99.9999%
溶解法

液晶ディスプレイ
タッチパネル  
半導体電極

chromium-target

クロム(Cr)ターゲット

純度:99.5%~99.98%
HIP法、実際密度≧7.15g/cm³

自動車用ミラー、半導体配線、ディスプレイ
ハードディスク、電子部品
装飾コーティング、敏感物資

niobium-target

ニオブ(Nb)ターゲット

純度:99.9%~99.999%
真空溶錬法

薄膜形成
超伝導材料
耐熱・耐食性用途

zirconium-target

ジルコニウム(Zr)ターゲット

純度:99.5%~99.99%

半導体:High-K絶縁膜、強誘電体メモリ
光学レンズ、ミラーコーティング
表面コーティング、腐食性、耐熱性、核

titanium-target

チタン(Ti)ターゲット

純度:99.5%~99.999%
溶解法

半導体電極
集積回路
液晶ディスプレイ

tantalum-target

タンタル(Ta)ターゲット

純度:99.9%~99.999%
真空溶錬法

コンデンサー製造
薄膜形成(光学分野、航空宇宙)
高温技術

iron-target

鉄(Fe)ターゲット

純度:99.9%~99.999%
真空溶錬法

薄膜形成
超伝導材料
耐熱・耐食性用途

hafnium-target

ハフ二ウム(Hf)ターゲット

純度:99.5%~99.9%

半導体:高Kゲート絶縁膜 リ-ク電流の低減、高帯域幅メモリ、航空宇宙(超音速機)、光学コーティング、敏感物資

nickel-target

ニッケル(Ni)ターゲット

純度:99.9%~99.99%
溶解法

半導体電極、集積回路
液晶ディスプレイ
タッチパネル

tin-target

錫(Sn)ターゲット

純度:99.9%~99.995%
真空溶錬法

半導体、ディスプレイ、ソーラーパネル
電子デバイスや建築用ガラスの薄膜形成に用いられる。

tungsten-target

タングステン(W)ターゲット

純度:99.9%~99.1000%
焼結法+圧延

半導体電極
集積回路
高出力電子デバイスの放熱層

​合金ターゲット

nickel-chromium-target

ニッケルクロム(NiCr)
ターゲット

99.5%~99.9%
真空溶錬法

薄膜形成、マイクロエレクトロニクス製造、建築ガラスのLow-E膜・液晶パネル・記録メディア、半導体・太陽電池

aluminum-neodymium-target

アルミネオジウム(Al-Nd)
ターゲット

99.95%
真空溶錬法

フラットパネルディスプレイ (FPD)や
磁気記録媒体
磁気センサー

tungsten-titanium-target

タングステンチタン(W-Ti)
ターゲット

99.95%
粉末冶金法

マイクロチップ、薄膜形成、太陽電池
金属配線用の拡散防止剤や接着剤

nickel-vanadium-target

ニッケルバナジウム(NiV)
ターゲット

99.5%~99.9%
真空溶錬法

集積回路(IC)の製造
半導体・マイクロエレクトロニクス産業
高品質な薄膜を成膜

aluminum-silicon-target

アルミシリコン(Al-Si)  ターゲット

99.999%
焼結法

フラットパネルディスプレイ (FPD)
磁気記録媒体
磁気センサー

c18200-backing-plate

C18200(Cu)       バッキングプレート

99.97%
真空溶錬法

バッキングプレートとして使われる
硬度≧1/2H

nickel-copper-target

ニッケルカッパー(NiCu)
ターゲット

99.9%
真空溶錬法

半導体集積回路(VLSI)
フラットパネルディスプレイ
光ディスク 、表面コーティング

aluminum-titanium-target

アルミチタン(Al-Ti)   ターゲット

99.999%
溶錬法

切削工具用コーティング、バリア膜形成
半導体デバイスのトランジスタや集積回路、ディスプレイ・装飾コーティング

c18150-backing-plate

C18150(Cu)       バッキングプレート

98%
真空溶錬法

バッキングプレートとして使われる
硬度≧1/2H

​酸化物ターゲット

titanium-oxide-target

酸化チタン(TiO₂)ターゲット

純度>99.9%
密度≧90%
真空焼結、HP法

高屈折率レンズ
光学フィルター
半導体製造プロセス
HDDなどの記録メディア
フラットパネルディスプレイなどの薄膜形成

aluminum-oxide-target

酸化アルミ(AI₂O₃)ターゲット

純度>99.9%
密度≧90%
粉末冶金法

チップ製造における絶縁膜、高性能電子部品
センサー、ソーラーパネル、ディスプレイなど
光学機器の表面改質、建築ガラス
伝導性を持つ膜の形成、太陽電池セル

indium-oxide-target

酸化インジウム(In₂O₃)ターゲット

純度>99.99%
密度(7.15/cm³)
焼結法、HP法、高密度可能(≧90%)

液晶、有機EL、プラズマディスプレイなどタッチパネルでの電圧印加用電極
太陽電池の透明電極
車両用フロントガラスやショーウィンドウの曇り止め、電磁波遮断膜、ガスセンサー

ITO sputtering target

ITO(90%In₂O₃10%SnO₂)     ターゲット

純度>99.99%
密度≧99.7%
粉末冶金法

90:10wt%;95:5wt%;99:1wt%;85:15wt%

画面の透明電極、太陽電池で重要な役割
結露や積雪を防ぐための透明発熱体素材として建築物や自動車の窓などに利用

vanadium-oxide-target

酸化バナジウム(V₂O₅)ターゲット

純度>99.9%
密度≧85%
真空焼結、HP法

高精細ディスプレイ
光学装置用の薄膜成膜
光学コーティング、センサー技術
有機酸製造用触媒
太陽電池の性能と効率を向上

nickel-oxide-target

酸化二ケル(NiO)ターゲット

純度>99.99%
密度(6.67g/cm³)
焼結法、HP法 

抵抗変化型メモリ(RRAM)
透明導電性薄膜(TCO)
ガスセンサー
スピントロニクス

tin-oxide-target

酸化スズ(SnO)ターゲット

純度>99.99%
密度(7.15/cm³)
焼結法、HP法

画面を構成する重要な材料
透明な電極として、画面のタッチ操作を可能にする
帯電防止膜、電磁波遮蔽膜
透明ヒーター、ガスセンサー

niobium-oxide-target

酸化ニオブ(Nb₂O₅)ターゲット

純度>99.9%
密度≧99%
HIP法

光学製品の小型化や高性能化
積層セラミックコンデンサ(MLCC)
液晶パネル、ハードディスク、半導体の薄膜形成
太陽電池

quartz-ring-target

石英(SiO₂)リング

純度>99.995%
密度(2.6g/cm³)
焼結法

半導体製造工程
光学機器
化学実験装置
医療機器 

indium-antimonide-target

インジウムアンチモン(IAO)   ターゲット

純度>99.99%
密度≧85% 
焼結法、HP法 

静電気防止コーティング
塗料にも広く使用
静電気蓄積を著しく減少させる
設備と人の安全を保護する

​シリコンターゲット

single-crystal-silicon-target

単結晶シリコン(Si)ターゲット

純度>99.99999%
製造方法:SZ法

集積回路(IC)、大規模集積回路(LSI)
光学デバイスに必要な薄膜形成
センサー、太陽電池、トランス

single-crystal-silicon-planar-target

単結晶シリコン(Si)プレーナターゲット

純度>99.99999%
密度(2.33/cm³)
製造方法:SZ法

集積回路(IC)、大規模集積回路(LSI)
光学デバイスに必要な薄膜形成
センサー、太陽電池、トランス

polycrystalline-silicon-target

多結晶シリコン(Si)ターゲット

純度>99.999%
製造方法:溶解法と焼結法

CVD装置、アニール炉、拡散炉、液晶製造装置の成膜
薄膜シリコン太陽電池、太陽光パネル
ギヤ、センサー、マイクロ静電モータ

polycrystalline-silicon-ring-target

多結晶シリコン(Si)リングターゲット

純度>99.999%
密度(2.33/cm³)
製造方法:溶解法と焼結法

CVD装置、アニール炉、拡散炉、液晶製造装置
薄膜シリコン太陽電池、太陽光パネル
ギヤ、センサー、マイクロ静電モータなどのマイクロ構造体

​ロータリーターゲット

Copper-Rotary-Target

銅(Cu)
ロータリーターゲット

Niobium-Oxid-Rotary-Target

酸化ニオブ(Nb₂O₅)
ロータリーターゲット

Silicon-Rotary-Target

シリコン(Si)
ロータリーターゲット

Aluminum-Rotary-Target

アルミニウム(Al)
ロータリーターゲット

Aluminum-Silicon-Rotary-Target

アルミニウムシリコン(AlSi)
ロータリーターゲット

Molybdenum-Rotary-Target

モリブデン(Mo)
ロータリーターゲット

Chromium-Rotary-Target

クロム(Cr)
ロータリーターゲット

Aluminum-Rotary-Target

アルミニウム(Al)
ロータリーターゲット

Titanium-Rotary-Target

チタン(Ti)
ロータリーターゲット

提携企業情報

株式会社スパッタコア

​〒532‐0011

大阪府大阪市淀川区西中島6丁目3-32

第2新大阪ビル707号室

TEL:06-6732-9818

FAX:06-6732-9819

MAIL: ken@ttcm.co.jp

​営業時間:平日9:00~17:00

Sputtercore Co., Ltd.

6-3-32 Nishinakajima, Yodogawa-ku,
Osaka 532-0011, Japan, 

No.2 Shin-Osaka Bldg. Room#707

TEL:+81-6-6732-9818

FAX:+81-6-6732-9819

MAIL: ken@ttcm.co.jp

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