top of page

ハフニウム(Hf)ターゲット

純度:99.5%~99.995%


Hf(ハフニウム)ターゲットは高純度・高融点・高い誘電率など要求され​

集積回路やトランジスタなどにおける高誘電体ゲート絶縁膜(例:HfO₂膜)の形成。​

デバイスの高性能化・微細化に不可欠​

耐熱コーティング​

レンズやミラー、レーザー、通信機器などに用いられる光学部品の薄膜コーティング形成
(弊社使用実績あり)​

高精度センサーや環境計測機器、医療用センサー薄膜形成​

薄膜トランジスタ(TFT)やタッチパネル製造におけるスパッタリング工程​

高性能触媒の製造や化学反応プロセスの最適化​

hafnium-target

株式会社スパッタコア

​〒532‐0011

大阪府大阪市淀川区西中島6丁目3-32

第2新大阪ビル707号室

TEL:06-6732-9818

FAX:06-6732-9819

​営業時間:平日9:00~17:00

Sputtercore Co., Ltd.

6-3-32 Nishinakajima, Yodogawa-ku,
Osaka 532-0011, Japan, 

No.2 Shin-Osaka Bldg. Room#707

TEL:+81-6-6732-9818

FAX:+81-6-6732-9819

  • Facebook
  • Twitter
  • LinkedIn
  • Instagram
ISO9001

Copyright © Sputtercore Co. Ltd. All Rights Reserved.

2026年6月25日 取得
ISO9001(品質管理)

bottom of page