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GeSbTeターゲット

書き換え可能な光ディスク(書き換え型DVDなど)の相変化記録膜の製造に用いられます。GeSbTe合金は相変化速度が速く(再結晶時間は約20ナノ秒)、この分野で長く使われてきました。

相変化メモリ(PCM/PRAM)、GeSbTe薄膜は結晶状態と非晶質状態の間の可逆的な相変化を利用してデータを記憶し、半導体不揮発性メモリの製造に用いられます。

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