top of page
< Back

CIGSターゲット

多元系合金ターゲットによる前駆体形成
Cu-Ga系ターゲットによる積層前駆体
カルコゲナイド化合物ターゲットによる直接成膜

CIGSターゲットは、スパッタリング法で太陽電池の心臓部である光吸収層を作るための原料であり、用いるターゲットの種類(多元系合金か化合物か)によって成膜プロセスと得られる膜質が異なります。

Spattercore Co., Ltd.

〒532‐0011

6-3-32 Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka City, Osaka Prefecture

Shin-Osaka Building 2, Room 707

TEL: 06-6732-9818

FAX: 06-6732-9819

Business hours: Weekdays 9:00-17:00

Sputtercore Co., Ltd.

6-3-32 Nishinakajima, Yodogawa-ku,
Osaka 532-0011, Japan,

No.2 Shin-Osaka Bldg. Room#707

TEL: +81-6-6732-9818

FAX: +81-6-6732-9819

  • Facebook
  • Twitter
  • LinkedIn
  • Instagram
ISO9001

Copyright © Sputtercore Co. Ltd. All Rights Reserved.

Certified on June 25, 2026
ISO 9001 Quality Management System

bottom of page