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CIGSターゲット

多元系合金ターゲットによる前駆体形成
Cu-Ga系ターゲットによる積層前駆体
カルコゲナイド化合物ターゲットによる直接成膜

CIGSターゲットは、スパッタリング法で太陽電池の心臓部である光吸収層を作るための原料であり、用いるターゲットの種類（多元系合金か化合物か）によって成膜プロセスと得られる膜質が異なります。

株式会社スパッタコア

​〒532‐0011

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TEL：06-6732-9818

FAX：06-6732-9819

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2026年6月25日 取得
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