多晶硅靶材是一种重要的溅射镀膜材料，广泛应用于半导体、光伏、光学和电子器件等领域。以下是其关键特性和主要用途：

一、多晶硅靶材的特性 

1. 高纯度

   - 纯度通常≥99.999%（5N），部分高端应用（如半导体）要求更高（如6N~9N）。 

   - 杂质含量极低，确保溅射薄膜的电学性能稳定。 

2. 良好的导电性与半导体特性

   - 具有半导体性质，可通过掺杂（如硼、磷）调节电阻率。 

   - 适用于集成电路（IC）和光伏电池的导电层制备。 

3. 热稳定性与化学惰性 

   - 熔点1410℃，沸点2355℃，高温下仍能保持稳定。 

   - 常温下化学性质稳定，耐酸（除HF+HNO₃混合酸）。 

4. 晶粒均匀性 

   - 采用定向凝固或化学气相沉积（CVD）工艺，晶粒尺寸可控，提高溅射均匀性。 

5.机械性能

   - 室温下较脆，易碎裂，但高温（>800℃）下具有延展性。 

二、多晶硅靶材的主要用途

1. 半导体与微电子行业

   - 用于制造集成电路（IC）、晶体管、存储器 等关键组件。 

   - 作为透明导电氧化物（TCO）薄膜的底层材料，用于TFT-LCD和 OLED 显示屏。 

2. 光伏（太阳能电池）

   - 用于薄膜太阳能电池（如HIT电池）的光吸收层或缓冲层。 

   - 在多晶硅太阳能电池中作为关键原料，市场占比超90%。 

3. 光学镀膜

   - 用于Low-E玻璃（建筑节能玻璃）的镀膜，提高红外反射率。 

   - 在光学镜片、红外窗口** 等器件中作为增透膜或保护层。 

4. 信息存储与光电子器件

   - 用于硬盘存储介质和 光通信器件的薄膜沉积。 

   - 在LED 和 激光器 制造中作为关键材料。