碲化锗（GeTe）是一种由锗（Ge）和碲（Te）组成的化合物溅射靶材，主要用于磁控溅射（PVD）、电子束蒸发等薄膜沉积工艺。其独特的相变特性、热电性能、铁电性等物理性质，使其在相变存储器、热电转换、红外探测、锂离子电池等领域具有重要应用。

 一、GeTe靶材的特性 

1. 相变特性 

- GeTe在晶态（α-GeTe）和非晶态（β-GeTe）之间可快速转换，相变温度约为725°C，适用于相变存储（PCRAM）应用。 

- 相变过程中电阻率变化显著（~3-4个数量级），可用于高密度存储器件。 

2. 热电性能优异 

- 具有较高的热电优值（ZT值），在中高温热电材料中表现突出（ZT可达2.0以上）。 

- 通过掺杂（如In、Bi、Cu）可优化载流子迁移率，提高热电转换效率。 

3. 窄带隙与高载流子迁移率 

- 带隙约0.6 eV，适合红外光电探测应用。 

- 高载流子迁移率（~100 cm²/V·s），适用于高速电子器件。 

4. 铁电性与自旋电子学应用 

- 具有铁电性，可用于非易失性存储器（FeRAM）。 

- 在自旋电子学中表现出自旋轨道耦合效应，可用于新型存储与逻辑器件。 

5. 高纯度与可调成分 

- 工业级GeTe靶材纯度≥99.99%，高端应用（如半导体）可达99.999%以上。 

- 可通过掺杂（如Pb、Bi、In）优化电学与热学性能。 

二、GeTe靶材的主要用途 

1. 相变存储器（PCRAM） 

- 利用晶态-非晶态电阻差异实现数据存储，具有高速度、低功耗、高耐久性等优势。 

2. 热电转换器件 

- 用于废热发电、固态制冷，在航空航天、汽车废热回收等领域有应用潜力。 

3. 红外光电探测器 

- 窄带隙使其适用于红外光探测，可用于夜视、热成像等。 

4. 锂/钠/钾离子电池负极材料 

- 单层GeTe具有高理论比容量（Li: 535.4 mAh/g，Na: 669.2 mAh/g，K: 1070.72 mAh/g），适用于高倍率电池。 

5. 自旋电子学与量子计算 

- 可用于自旋轨道耦合器件、拓扑量子计算材料的研究。 

三、最新发展趋势 

- n型掺杂优化：通过Bi、In等元素掺杂提高热电性能。 

- 柔性GeTe薄膜：用于可穿戴热电设备。 

- 量子点GeTe：用于高效光电探测器