PZT（Pb（Zr，Ti）は重要な強誘電体、圧電セラミック材料であり、そのターゲットは主にPVDとPLDなどのめっき技術に用いられ、

半導体、MEMS、光学デバイス、エネルギーコレクタなどの分野に広く応用されている。

１．特性

　１）優れた強誘電及び圧電性能

・高圧電気定数（d₃₃は500-800 pC/Nに達することができる）

・高誘電率（εᵣ>1000）であり、高容量デバイスに適している。

・低保磁場は強く、分極しやすく、不揮発性メモリ（FeRAM）に適している。

　２）熱安定性と化学安定性

・キュリー温度が高く（〜350°C）、高温環境に適している。

・耐蝕性が強く、酸化または酸性環境で安定して動作することができる。

　３）調整可能なジルコニウムチタン比（Zr/Ti）

　４）高誘起密度（≧95%）

　５）脆性材料

２．主な用途

　１）半導体及び記憶装置

・強誘電体メモリ（FeRAM）：PZTの残留分極特性を利用して、不揮発性記憶を実現。

・動的ランダムメモリ（DRAM）：高誘電率は容量サイズを小さくできる。

・3 nm以下のハイエンド半導体需要を満たす。・

・大判ウエハレベルPZT薄膜：4インチ以上のフォトニック集積チップ用

　２）MEMSセンサとアクチュエータ

　３）光学・光電デバイス

・電気光学変調器：PZT薄膜の高Pockels係数（>100 pm/V）、LiNbO 8323より3倍高く、高速光通信に適している。

・赤外線検出器、空間光変調器

　４）エネルギーコレクター

　５）音響および超音波デバイス

・超音波変換器：マイクとスピーカー。