GeとTeの化合物スパッタリングターゲットであり、主にマグネトロンスパッタリング(PVD）、電子ビーム蒸着などの薄膜蒸着プロセスに

用いられる。

その独特な相転移特性、熱電性能、強誘電性などの物理的性質は、相転移メモリ、熱電変換、赤外線探査、リチウムイオン電池などの

分野で重要である。

1．特性

　１）相転移特性

・GeTeは結晶（α−GeTe）と非晶質（β−GeTe）の間で急速に変換でき、相転移温度は約725°Cであり、相転移記憶（PCRAM）応用に適し　

　ている。

・相転移過程における抵抗率の変化が顕著であり（〜3〜4桁）、高密度記憶装置に用いることができる。

　２）熱電性能が優れている

・高温熱電材料中で突出した（ZTは2.0以上に達することができる）比較的高い熱電特性（ZT値）を有する。

・In、Bi、Cuなどの添加によりキャリア移動度を最適化し、熱電変換効率を向上させることができる。

　３）狭バンドギャップと高キャリア移動度

・バンドギャップは約0.6 eVであり、赤外線検出用途に適している。

・高速電子デバイスに適した高キャリア移動度（~ 100 cm²/V・s）

　４）強誘電性とスピントロニクスの応用

・強誘電性を有し、不揮発性メモリ（FeRAM）に使用できる。

・スピントロニクスにおいてスピン軌道結合効果を示し、新規な記憶及び論理デバイスに使用することができる。

　５）高純度と調整可能成分

・工業用GeTeターゲットの純度≧99.99%、ハイエンド用途（例えば半導体）は99.999%以上に達することができる。

・Pb、Bi、Inなどの添加により電気的及び熱的特性を最適化することができる。

2．主な用途

　１）相変化メモリ（PCRAM）

・結晶−非晶質抵抗の差異を利用してデータ記憶を実現し、高速、低消費電力、高耐久性などの利点がある。

　２）熱電変換素子

・廃熱発電、固体冷房に使用され、航空宇宙、自動車廃熱回収などの分野で応用可能性がある。

　３）外線検出器

・狭帯域ギャップは赤外線検出に適しており、夜視、熱画像化などに使用できる。

　４）リチウム/ナトリウム/カリウムイオン電池負極材料

・単層GeTeは高い理論比容量（Li：535.4 mAh/g、Na：669.2 mAh/g、K：1070.72 mAh/g）を有し、高倍率電池に適している。

　５）スピントロニクスと量子計算

・スピン軌道結合デバイス、トポロジー量子計算材料の研究に使用することができる。

３．最新の開発傾向

・n型添加最適化：Bi、Inなどの添加による熱電性能の向上。

・フレキシブルGeTeフィルム：着用可能な熱電デバイス用。

・量子ドットGeTe：高効率光検出器用。